Автозаводская
Модули памяти
Найдено: 19 товаров
Сортировать:
№: 1030142
DDR4, 8 ГБx2 шт., 3200 МГц, 16-18-18.
№: 1030795
Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ. Тип DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 4133 МГц. CAS Latency (CL) 19. RAS to CAS Delay (tRCD) 23. Row Precharge Delay (tRP) 23. Напряжение питания 1.4 В. RGB подсветка.
№: 1030799
Объем 8 гб. Тип DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 3200 МГц. CAS Latency (CL) 18. RAS to CAS Delay (tRCD) 22. Row Precharge Delay (tRP) 22. Напряжение питания 1.4 В.
№: 1031018
DDR4, 4 ГБx1 шт, 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22-22-52.
№: 1025226
Тип памяти: DDR4. Форм фактор: DIMM. Количество контактов: 288. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/с. Объем: 2 модуля по 32 Гб. Поддержка XMP. CAS Latency (CL): 18, RAS to CAS Delay (tRCD): 22, Row Precharge Delay (tRP): 22.
№: 959589
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем: 8 ГБ. Тактовая частота: 4133 МГц. Профили Intel XMP: 4133 МГц (19-23-23). CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 23. Row Precharge Delay (tRP): 23.. Радиатор. Подсветка RGB.
№: 948206
№: 969237
DDR4, 16 ГБx4 шт, 3600 МГц, 18-22-22.
№: 1011175
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор SO-DIMM. Объём памяти 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБ/с. Латентность CL 22. Тайминги 22-22-22-52. Напряжение питания 1.2 В.
№: 1021976
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 6800 МГц. Пропускная способность: 54400 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 42. Row Precharge Delay (tRP): 42. Напряжение питания: 1,4 В. Поддержка...
№: 1022086
DDR3, 2 ГБx1 шт, 1600 МГц.
№: 1022087
DDR4, 8 ГБx1 шт, 2666 МГц, PC21300, тайминги: 19.
№: 863478
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 32GB. Частота 2666MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V.
№: 699310
4 Гб. DIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 512*8. Одноранговая.
№: 699449
4 Гб. SODIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 204. Тип чипа: 256*8.
№: 753079
DDR4. Объём 32 Гб. 288-pin. Частота 3600. Латентность CL18. Форм-фактор DIMM. Оснащается радиатором для эффективного охлаждения. Тип поставки Ret.
№: 542474
Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...
12