Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM. Объем одного модуля памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 2400 МГц Пропускная способность: PC19200. Тайминги: CAS Latency (CL): 17, RAS to CAS Delay (tRCD): 17, Row Precharge Delay (tRP): 17, Activate to Precharge Dela...

Форм-фактор памяти: DIMM. Общий объем 16 Гб. Тактовая частота 3200 МГц. CAS-латентность CL18. Схема таймингов памяти: 18-22-22-42. Рабочее напряжение 1.35 В. RGB подсветка. 

  

  

  

  

Patriot Memory Viper DDR4 DIMM 3000MHz PC4-24000 - 32Gb KIT (2x16Gb) PVS432G300C6K - это оперативная память, разработанная специально для игроков и энтузиастов, для которых важна исключительная производительность и строгий внешний вид. Модули предназ...

  

Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...

Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...

Ищите возможность повысить производительность своего компьютера, чтобы даже в условиях многозадачности он радовал вас быстрым откликом на ваши запросы? Тогда остановите свой выбор на оперативной памяти AMD Radeon R7 Performance Series R744G2133U1S-UO...

Память G.Skill Trident Z DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) F4-3200C16D-16GTZKW обладает стильной внешностью и хорошими скоростными показателями. Представляет собой одну из самых высокопроизводительных в мире, предназначенную для энт...

Память G.Skill Trident Z RGB DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) F4-3200C16D-16GTZR обладает RGB подсветкой, стильной внешностью и хорошими скоростными показателями. Представляет собой одну из самых высокопроизводительных в мире, пред...

4 Гб. DIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 512*8. Одноранговая.

4 Гб. SODIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 204. Тип чипа: 256*8.

Класс памяти: DDR3. Форм-фактор: DIMM 240-контактный. Тактовая частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 МБ/сек. Объем: 1 модуль 4 Гб. Тайминги: CAS Latency (CL): 11, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 11, Activate to Prec

Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16384 Мб. Тактовая частота: 3000 МГц. Пропускная способность: 24000 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 18, Row Precharge Delay (tRP): 18, Activate to Precharge Delay (t...