Автозаводская
Модули памяти
№: 1033883
DDR5, 16 ГБx2 шт, 6000 МГц, 30-40-40-96.
№: 1033885
DDR5, 16 ГБx2 шт, 5600 МГц, 28-34-34-89.
№: 1032804
32 Гб (2х16 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 16.18.18. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 x 45,76 x 8,29 мм. Подсветка: RGB, 10 светодиодов.
№: 1032805
16 Гб (1х16 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 16.20.20. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 x 45,76 x 8,29 мм. Подсветка: RGB, 10 светодиодов.
№: 1032806
16 Гб (1х16 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 18.22.22. Напряжение питания: 1.35 В. Плотность DRAM: 16Gbit. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 x 43 x 8,2 мм. Подсветка: RGB.
№: 1011175
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор SO-DIMM. Объём памяти 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБ/с. Латентность CL 22. Тайминги 22-22-22-52. Напряжение питания 1.2 В.
№: 1011177
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор SO-DIMM. Объём памяти 16 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБ/с. Латентность CL 22. Тайминги 22-22-22-52. Напряжение питания 1.2 В.
№: 1030140
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 5600 МГц. Пропускная способность: 44800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 46. RAS to CAS Delay (tRCD): 45. Row Precharge Delay (tRP): 45.
№: 1030142
DDR4, 8 ГБx2 шт., 3200 МГц, 16-18-18.
№: 1030144
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Поддержка XMP 2.0. Радиатор.
№: 1021946
16 Гб, DIMM, DDR5, 6800 МГц (PC5 54400). Тайминги: 36.42.42. Напряжение питания: 1.4 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35 х 39.2 х 7.65 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка XMP 3.0. Алюминиевый теплоотвод.
№: 1021974
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 6800 МГц. Пропускная способность: 54400 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 42. Row Precharge Delay (tRP): 42. Питание: 1,4 В. Поддержка XMP: 3.0. ...
№: 1021976
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 16 Гб. Тактовая частота: 6800 МГц. Пропускная способность: 54400 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 42. Row Precharge Delay (tRP): 42. Напряжение питания: 1,4 В. Поддержка...
№: 1022086
DDR3, 2 ГБx1 шт, 1600 МГц.
№: 1022087
DDR4, 8 ГБx1 шт, 2666 МГц, PC21300, тайминги: 19.
№: 1017773
DDR5, 32 ГБx2 шт, 6000 МГц, 30-40-40.
№: 1016812
64 Гб (2х32 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона XMP 3.0. Частота 5600 МГц. Тайминги 28.34.34.89. Напряжение питания 1.35 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм. Алюминиевый радиатор.