Автозаводская
Модули памяти
№: 753496
DDR4. 8 ГБ. Частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. 8 чипов. Напряжение питания 1.2 В.
№: 872509
16 Гб (1 х 16 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 18.22.22.42. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 599890
Kingston DDR4 SO-DIMM 2666MHz PC21300 - 16Gb KVR26S19D8/16 - это модуль памяти гарант бесперебойной работы системы в режиме многозадачности. Представленная модель позволит вам одновременно запускать еще больше приложений и программ, включая наиболее ...
№: 542485
Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...
№: 344905
Фирма Patriot зарекомендовала себя, как надёжная и востребованная торговая марка. Модель оперативной памяти Patriot DDR3 8Gb – лучший вариант для увеличения продуктивной работы вашего персонального компьютера. При желании всегда можно выбрать несколь...
№: 980953
Тип памяти DDR3L. Форм-фактор памяти DIMM. Объем модуля памяти 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. CAS Latency (CL) 11. RAS to CAS Delay (tRCD) 11. Row Precharge Delay (tRP) 11. Высота 30 мм. Напряжение питания 1.35 В.
№: 1002242
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tRAS): ...
№: 1002255
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 64 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 30. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Activate to Precharge Delay (tRAS): 96. Поддержка ...
№: 1002259
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6600 МГц. Пропускная способность: 52800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Activate to Precharge Delay (tRAS): 105. XMP 3.0. ...
№: 1002260
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6800 МГц. Пропускная способность: 54400 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34. RAS to CAS Delay (tRCD): 45. Row Precharge Delay (tRP): 45. Activate to Precharge Delay (tRAS): 108. XMP 3.0, ...
№: 992675
№: 1014963
32 Гб (2х16 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона XMP 3.0. Частота 6600 МГц. Тайминги 34.40.40.105. Напряжение питания 1.40 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм. Алюминиевый радиатор.
№: 1014966
32 Гб (2х16 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона XMP 3.0. Частота 6400 МГц. Тайминги 32.39.39.102. Напряжение питания 1.40 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм. Алюминиевый радиатор.
№: 971654
№: 956616
№: 908061
8 Гб, SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22.52. Напряжение питания: 1.2 В. Одноранговая (Single Rank). Количество контактов модуля: 260. Небуферизованная. nonECC.
№: 908923
Объем памяти комплекта: 32 Гб (2х16 Гб). Форм-фактор памяти: DIMM. Тип памяти: DDR5. Тактовая частота: 4800 МГц. Пропускная способность: 38400 МБ/с. CAS-латентность: CL38. Схема таймингов памяти: 38-38-38. Радиатор. Серия для разгона, поддержка XMP.